000 | 00958nam a2200217 c 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | 000004159 | ||
003 | RuMoIPM | ||
005 | 20220507230341.0 | ||
008 | 170313s1984 ru a||p|||||||||||||rus d | ||
035 | _a(RuMoIPM Bibliobus) 004374 | ||
040 |
_aRuMoIPM _brus _ercr |
||
080 | _a546.28 | ||
245 | 0 | 0 |
_aРейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. _cВысоцкая В В. и [и др.] (пер. с англ.); Горин С Н. (ред.) |
260 |
_aМосква _bМИР _c1984 |
||
300 | _a475 с. | ||
700 | 0 | _aРейви, К. | |
700 | 0 | _aВысоцкая, В. В. | |
700 | 0 |
_aГорин, С. Н. _eредактор |
|
887 |
_aРейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. / Высоцкая В В. и [и др.] (пер. с англ.); Горин С Н. (ред.). — М. : МИР, 1984. — 475 с. _2Bibliobus |
||
942 | _cBK | ||
999 |
_c4159 _d4159 |