000 01246nam a22002777c 4500
001 000026694
003 RuMoIPM
005 20251117201820.0
008 251105s1984 ru ||||| |||| 00| 0 rus d
022 _a2071-2898 (Print)
022 _a2071-2901 (Online)
035 _abiblionumber
040 _aRuMoIPM
_brus
_ercr
041 _arus
044 _aru
245 _a№ 30. Особенности баллистического переноса в диодных полупроводниковых структурах с биполярной инжекцией
_cН. Г. Белова, В. И. Рыжий, Ю. С. Сигов [и др.]
260 _c1984
490 0 _aПрепринты ИПМ им. М.В. Келдыша / Институт прикладной математики имени М.В. Келдыша Российской академии наук
700 1 _aБелова, Н. Г.
700 1 _aРыжий, В. И.
700 1 _aСигов, Ю. С.
700 1 _aФедирко, В. А.
700 1 _aХмырова, И. И.
773 0 8 _w000024330
_7nnas
_dМосква: ИПМ им. М. В. Келдыша РАН
_tПрепринты ИПМ им.М.В.Келдыша. - 1984
_x2071-2898 (Print)
942 _cPR
999 _c26694
_d26694